과학1 GAA vs FinFET: 공정 차이와 도전 과제 GAA구조의 공정적 도전과제: FinFET과의 비교와 주요 공정 이슈 중심1. GAA의 등장 배경과 기술적 필요성반도체 산업은 수십 년간 무어의 법칙(Moore’s Law)을 바탕으로 지속적인 트랜지스터 집적도를 향상시켜 왔다. 하지만 5nm 이하 공정에서는 기존 FinFET(Fin Field-Effect Transistor) 구조로는 짧은 채널 효과(Short Channel Effect, SCE)를 제어하는 데 한계가 발생했다. 이에 따라 더욱 정밀한 전기적 제어를 가능하게 하는 Gate-All-Around(GAA) 트랜지스터 구조가 등장하게 되었다. GAA는 채널을 사방에서 감싸는 형태로 게이트가 구성되어, 전류 흐름을 보다 효과적으로 제어할 수 있으며, 누설 전류 억제 및 전력 효율 향상 측면에서 .. 2025. 5. 17. 이전 1 다음
